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我们的服务
失效分析断口分析SEM+EDS

识别并解决潜在的产品质量问题

优化生产工艺,提高生产效率和产品质量

找出失效原因,并针对性地改进生产工艺

降低生产成本,提高生产效益。



详细介绍

一 扫描电镜(SEM)原理

采用高能电子束逐点扫描样品表面,通过收集二次电子(SE)、背散射电子(BSE)等信号,生成高分辨率(1-3 nm)的微观形貌图像。

优势:景深大(适合粗糙表面观测)、三维立体成像能力、放大倍数可达百万倍。

能谱分析(EDS)原理

利用电子束激发样品产生特征X射线,通过能量色散谱仪解析元素种类及含量,实现微区(μm级)成分的定性与半定量分析。

检测限:0.1-1 wt%(取决于元素种类及设备灵敏度)。


SEM-EDS联用技术

同步实现形貌观察与成分分析,支持点分析、线扫描、面分布(Mapping)模式,适用于材料失效机理的多维度解析。

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二、检测流程与关键参数

标准化操作流程

样品制备:切割→研磨→抛光→导电处理(非导电样品需喷金/碳镀)→固定。

参数优化:加速电压(5-30 kV)、束流强度(1-10 nA)、工作距离(5-15 mm)。

数据采集:SEM图像聚焦→EDS能谱采集→元素Mapping叠加分析。

失效分析典型流程

宏观定位:通过光学显微镜或X射线定位失效区域。

微观解析:SEM观察裂纹/断口形貌→EDS分析异常区域元素分布→结合BSE成像识别异相。


三、应用范围与典型案例

金属材料失效分析

断口分析:区分韧性断裂(韧窝形貌)与脆性断裂(解理台阶),结合EDS验证夹杂物或腐蚀产物。

腐蚀失效:Mapping分析腐蚀界面元素迁移(如Cl⁻在应力腐蚀中的富集)。

焊接缺陷:检测焊缝气孔、未熔合区域的元素偏析(如Al-Mg合金焊点氧含量异常)。

半导体与电子器件失效

导线键合断裂:SEM观察断口形貌,EDS验证污染(如硫元素导致银迁移)。

芯片分层:BSE成像识别界面空洞,EDS分析残留助焊剂成分。

涂层与表面处理评估

镀层厚度测量:截面SEM成像+EDS线扫描分析元素梯度分布。

氧化膜失效:分析高温氧化层成分(如Fe-Cr-Ni合金中Cr₂O₃保护层破裂)。


四、样品基本要求与制备规范

通用要求

导电性:非导电样品需喷金/碳镀(厚度5-20 nm),避免荷电效应影响成像。

尺寸限制:最大样品尺寸≤Φ100 mm(视设备型号而定),高度≤50 mm。

清洁度:无油污、粉尘,避免引入外来元素干扰EDS分析。

特殊样品处理

断面分析:需精密切割(如FIB)或离子抛光,确保断面平整。

生物/高分子材料:需临界点干燥或冷冻断裂处理,防止形变。


五、技术优势与局限性

优势:微区分析能力(μm级)、成分-形貌同步关联、快速成像(单区域分析<30 min)。

局限:EDS轻元素(H/He/Li)检测困难、定量误差±5%、样品